Diodes Inc. ZVNL120A

N-Channel 200 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET -TO-92
$ 0.416
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
DigiKeyZVNL120A-ND1 7781Bulk
TME
2
ZVNL120A2 0401
8h
RS (Formerly Allied Electronics)ZVNL120A05Bulk
10h
AvnetZVNL120A04K
4d
Arrow ElectronicsZVNL120A04K

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. ZVNL120A.

Newark

Datasheet3 pagesIl y a 19 ans

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZVP2110A
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
Détails
Diodes Inc.ZVP2110ASTZ
Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line Box
Détails
Diodes Inc.ZVN3310ASTZ
625mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1N 100V 10¦¸@ 500mA,10V 200mA 40pF@25V TO-92 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Détails
onsemi2N7000-D75Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Détails
onsemi2N7000-D74Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Détails
onsemiBS170-D74Z
N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 500mA, 5Ω
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. ZVNL120A fournies par ses distributeurs.

N-Channel 200 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET -TO-92
Future Electronics
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
Semicontronic
MOSFET, N, LOGIC, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:700mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVNL120A; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Ptot Max:700mW; Pulse Current Idm:2A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
element14 APAC

Images

TME
RS (Formerly Allied Electronics)
LKR
reichelt
Future Electronics
reichelt
Newark
iiiC
Conrad

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • ZVNL120A.