Diodes Inc. ZVNL110GTA
$ 0.477
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZVNL110GTA | 94 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZVNL110GTA | 4 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | ZVNL110GTA | 829 | 88 | Bulk | ||||||||
| TME | ZVNL110GTA | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Avnet | ZVNL110GTA | 0 | 1K | 4d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZVNL110GTA fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 600 mA, 3 ohm, SOT-223, Surface Mount
1.1W(Ta) 20V 1.5V@1mA 1N 100V 3¦¸@ 500mA,10V 600mA 75pF@25V SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.65mm
Mosfet, N-Ch, 100V, 0.6A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVNL110GTA
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance75 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max3 Ω
Resistance4.5 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité