Diodes Inc. MMST5551-7-F

MMST5551 Series NPN 160 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-323-3
$ 0.081
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
MMST5551-7-F1 3121
3h
RS (Formerly Allied Electronics)MMST5551-7-F050Bulk
20h
Future ElectronicsMMST5551-7-F03KTape & Reel
AvnetMMST5551-7-F03K
6h
Arrow ElectronicsMMST5551-7-F03K

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. MMST5551-7-F.

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Datasheet5 pagesIl y a 11 ans

Newark

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.MMST3904-7-F
Single Bipolar Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, 3 Pin, Surface Mount
Détails
onsemiFJX945GTF
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Détails
Diodes Inc.BC846AW-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
Diodes Inc.MMST2222A-7-F
MMST2222A Series 40 V 200 mW NPN Small Signal SMT Transistor - SOT-323-3
Détails
onsemiFJX3007RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiFJX3014RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. MMST5551-7-F fournies par ses distributeurs.

MMST5551 Series NPN 160 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-323-3
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Verical
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Digi-ic_SMART PIONEER
50nA 160V 200mW 80@10mA,5V 200mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS
HQonline
TRANSISTOR, NPN, SOT323; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; Transistor Cas
Farnell
TRANSISTOR, NPN, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

element14 APAC
RS
RS (Formerly Allied Electronics)
element14 APAC
Future Electronics
element14
TME
iiiC
HQonline

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated