Diodes Inc. MMST5401-7-F
$ 0.082
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MMST5401-7-F | 8 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | MMST5401-7-F | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | MMST5401-7-F | 0 | 50 | Bulk | 9h | |||||||
| Future Electronics | MMST5401-7-F | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MMST5401-7-F | 0 | 3K | 2d |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -79.60%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Diodes Inc. MMST5401-7-F, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.MMST3906-7-F
Single Bipolar Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, 3 Pin, Surface Mount
ROHMDTA115EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123JUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJX4003RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. MMST5401-7-F fournies par ses distributeurs.
MMST5401 Series PNP 150 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-323-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
TRANSISTOR, PNP, SOT323; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -150V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: -200mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): -500mV; Current Ic Continuous a Max: -200mA; Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz; Hfe Min: 60; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Small Signal
Transistor, Pnp, -150V, -200Ma, 200Mw, Sot-323; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-150V; Frecuencia De Transición Ft:300Mhz; Disipación De Potencia Pd:200Mw; Corriente De Colector Dc:-200Ma |Diodes Inc. MMST5401-7-F
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -79.60%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-150 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage150 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité