Diodes Inc. FZT796ATA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXTP5401GTA
Trans GP BJT PNP 150V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS PNP 150V 0.6A SOT223
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. FZT796ATA fournies par ses distributeurs.
200V 3W 250@300mA,10V 500mA PNP SOT-223-3 Bipolar (BJT) ROHS
FZT796A Series PNP 0.5A 200 V Silicon Planar Medium Power Transistor - SOT-223-3
Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Transistor, Pnp, 200V, 0.5A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. FZT796ATA
300mV@ 20mA,200mA PNP 3W 7V 100nA 200V 200V 500mA SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.65mm
General Purpose Transistors PNP Ic=500mA Vceo=200V hfe=300~800 P=3W SOT223
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-200 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Continuous Collector Current-500 mA
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage200 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-200 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité