Diodes Inc. DNLS350E-13
$ 0.166
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DNLS350E-13 | 42 | 42 | |||||||||
| CoreStaff | ST64479174 | 106 | 1 | 16h | ||||||||
| TME | DNLS350E-13 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Future Electronics | DNLS350E-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DNLS350E-13 | 0 | 2500 | 2d |
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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Pièces détachées
Diodes Inc.DSS60601MZ4-13
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DNLS350E-13 fournies par ses distributeurs.
50V 1W 100@2A,2V 3A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 50V 3A SOT-223
DNLS350 Series NPN 3 W 50V 3A Surface Mount General Purpose Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Low VCE(sat) NPN Transistor SOT-223
RS APAC
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage290 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité