Diodes Inc. DMP2022LSS-13
$ 0.347
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP2022LSS-13 | 17 500 | 2500 | 4d | ||||||||
| Newark | DMP2022LSS-13 | 15 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2022LSS-13 | 37 500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMP2022LSS-13 | 37 500 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | DMP2022LSS-13 | 2 500 | 2500 | Tape & Reel |
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMN2009LSS-13
Single N-Channel 20 V 12 mOhm 28.9 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMP3020LSS-13
DMP3020LSS: 30 V 14 mOhm Single P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMN3052LSS-13
2.5W(Ta) 12V 1.2V@ 250¦ÌA 1N 30V 30m¦¸@ 7.1A,10V 7.1A 555pF@5V SOIC-8 1.5mm
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMP2022LSS-13 fournies par ses distributeurs.
P-Channel 20 V 13 mOhm 2.5 W SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
2.5W(Ta) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 56.9nC@ 10 V 1P 20V 13m¦¸@ 10A,10V 10A 2.444nF@10V SOIC-8 1.75mm
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time76.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.444 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time9.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage770 mV
Turn-Off Delay Time108 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Dimensions
Height1.7 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité