Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13
$ 0.34
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP10H400SEQ-13 | 615 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMP10H400SEQ-13 | 185 000 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMP10H400SEQ-13 | 182 500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMP10H400SEQ-13DICT-ND | 7 417 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP10H400SEQ-13 | 0 | 1 | 19h |
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-12-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT200EN,135
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMN10H120SE-13
Single N-Channel 100 V 122 mOhm 5.2 nC 2.1 W Silicon SMT Mosfet - SOT-223
NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13 fournies par ses distributeurs.
Mosfet, P-Ch, 100V, 6A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Field Effect Tube (MOSFET)
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.239 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max250 mΩ
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant