Diodes Inc. DMN6066SSD-13
$ 0.369
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN6066SSD-13 | 2 881 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN6066SSD-13 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMN6066SSD-13 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMN6066SSD-13CT-ND | 5 364 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN6066SSD-13 | 0 | 2500 | 3h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMP6A17N8TC
Single P-Channel 60 V 0.19 Ohm 9 nC 2.5 mW Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
VishaySI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY Series 60 V 0.12 Ohm 22 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN6066SSD-13 fournies par ses distributeurs.
DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 4.4A 8-Pin SOIC T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 60V, 3.3A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN6066SSD-13
60V Dual N-Ch Enhancement MOSFET SOIC8
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 4.4 A, SOIC, , 8
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
DUAL 60V 4A 66mOhm SO-8 RoHSconf
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 3.3A;
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Resistance66 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance502 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max66 mΩ
Resistance66 mΩ
Rise Time2.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.7 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité