Diodes Inc. DMN601VK-7
$ 0.109
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | DMN601VK-7 | 3 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMN601VKDICT-ND | 208 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN601VK-7 | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Avnet | DMN601VK-7 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN601VK-7 | 0 | 3K |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-26
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN601VK-7 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 305mA 6-Pin SOT-563 T/R
Dual N-Channel 60 V 2 Ohm Enhancement Mode Transistor SOT-563
250mW 20V 2.5V@ 250¦ÌA 2N 60V 2¦¸@ 500mA,10V 305mA 50pF@25V SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.305A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
VDS=60V ID=305mA PD=250mW 2 N-Channel SOT563 MOSFETs
MOSFETs - Low Threshold Voltage Dual N-Channel
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals8
Weight3.005049 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)305 mA
Current Rating305 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation250 mW
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité