Diodes Inc. DMN53D0LDW-7
$ 0.083
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN53D0LDW-7 | 18 000 | 3K | 17h | ||||||||
| Newark | DMN53D0LDW-7. | 18 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | DMN53D0LDW-7 | 162 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN53D0LDW-7 | 100 | 1 | Bulk | 4h | |||||||
| TME | DMN53D0LDW-7 | 47 | 1 | 13h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN53D0LDW-7 fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE, 50V, 0.36A, MOSFET, SOT-363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 360mA 3-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 50 V 310 mW 0.6 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-363
Product Range:-; Qualification:-; MSL:-; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:50V RoHS Compliant: No
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)360 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
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