Diodes Inc. DMN53D0LDW-13
$ 0.083
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN53D0LDW-13 | 5 340 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN53D0LDW-13DICT-ND | 31 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | 1d |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -18.07%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. DMN53D0LDW-13.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Diodes Inc. DMN53D0LDW-13, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMN601DWK-7
DMN601DWK Series Dual N-Channel 60 V 2 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-363-6
Diodes Inc.BSS138DW-7-F
Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN53D0LDW-13 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 360mA 6-Pin SOT-363 T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 50V, 0.36A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN53D0LDW-13
50V 360 mA 310 mW 2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-363
310mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.6nC@ 4.5V 2N 50V 1.6¦¸@ 500mA,10V 360mA 46pF@25V SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N-CH, 50V, 0.36A;
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 50V, 0.36A;
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -18.07%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)360 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. DMN53D0LDW-13.