Diodes Inc. DMN33D8LT-7
$ 0.074
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN33D8LT-7 | 1 485 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN33D8LT-7CT-ND | 6 145 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN33D8LT-7 | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Avnet | DMN33D8LT-7 | 0 | 3K | 20h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN33D8LT-7 | 0 | 3K |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN33D8LT-7 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 / N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.115A, Sot-523 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN33D8LT-7
Single N-Channel 30 V 7 Ohm 1.23 nC 300 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-523
Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-523
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance48 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max5 Ω
Fiches techniques et documents
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