Diodes Inc. DMN2019UTS-13
$ 0.181
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2019UTS-13 | 1 655 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN2019UTS-13DICT-ND | 2 554 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2019UTS-13 | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Future Electronics | DMN2019UTS-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN2019UTS-13 | 0 | 2500 | 2d |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN2019UTS-13 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 5.4A 8-Pin TSSOP T/R
N-Channel 20 V 18.5 mOhm 8.8 nC Surface Mount Enhancement Mode Mosfet TSSOP-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 8-Pin TSSOP T/R
20V 5.4A 780mW 18.5mΩ@10V,7A 950mV@250uA 2 N-Channel TSSOP-8-3.0mm MOSFETs ROHS
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Weight157.991892 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time234 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance143 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation780 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max18.5 mΩ
Resistance18.5 mΩ
Rise Time78 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time562 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité