Diodes Inc. DMHC3025LSD-13
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Stock
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170,157
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.6 A
4.6 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
25 mΩ
25 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
1.5 W
-
Input Capacitance
590 pF
590 pF
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMC3F31DN8TA
Dual N/P-Channel 30 V 2.1 W 12.9/12.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMC3025LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
InfineonIRF7379TRPBF
IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
InfineonIRF7303QTRPBF
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTS2DNF30L
N-Channel 30V - 0.09 Ohm - 3A - SO-8 STripFET(TM) II POWER MOSFET
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMHC3025LSD-13 fournies par ses distributeurs.
Dual N/P Channel 30 V 25 mO 11.7 nC H-Bridge Power Mosfet - SOIC-8
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 0.025ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance590 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time4.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time28.2 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Dimensions
Height1.7 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité