Diodes Inc. DMG4466SSSL-13
$ 0.266
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMG4466SSSL-13 | 7 500 | 2500 | 2d | ||||||||
| Verical | DMG4466SSSL-13 | 7 500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 31-DMG4466SSSL-13CT-ND | 1 780 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG4466SSSL-13 | 0 | 2500 | 11h | ||||||||
| Future Electronics | DMG4466SSSL-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMC3028LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMG4466SSSL-13 fournies par ses distributeurs.
1.42W(Ta) 20V 2.4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 30V 23m¦¸@ 10A,10V 10A 478.9pF@15V SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time3.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance478.9 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max23 mΩ
Rise Time7.9 ns
Turn-Off Delay Time14.6 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité