Diodes Inc. DMC4050SSD-13
$ 0.33
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DMC4050SSD-13 | 498 | 250 | |||||||||
| Verical | DMC4050SSD-13 | 498 | 250 | |||||||||
| TME | DMC4050SSD-13 | 1 227 | 1 | 9h | ||||||||
| DigiKey | DMC4050SSD-13CT-ND | 71 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMC4050SSD-13 | 0 | 100 | Bulk | 12h |
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Modèles CAO
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMN4034SSD-13
DMN4034SSD Series 40 V 34 mOhm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7406TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID -5.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7379TRPBF
IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMC4050SSD-13 fournies par ses distributeurs.
DMC4050SSD 40 V 5.3 A N & P Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 40V, 5.3A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC4050SSD-13
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 40V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time5.27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7908 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.14 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time15.14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24.29 ns
Turn-On Delay Time8.08 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité