Diodes Inc. BCV49TA
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Stock
558,110
504,183
504,183
Authorized Distributors
6
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT-89
SOT-89
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
170 MHz
220 MHz
220 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
2000
2000
2000
Power Dissipation
1 W
1.3 W
1.3 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
ROHM2SD1834T100
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD2391T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.ZXTN25060BZTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 5 A, 4.46 W, SOT-89, Surface Mount
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. BCV49TA fournies par ses distributeurs.
BCV49 Series NPN 60 V 500 mA 1 W Darlington Transistor - SOT-89
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-89 / Trans Darlington NPN 60V 0.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:170MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; Av Current Ic:500mA; Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic @ Vce Sat:100mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:500mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:170MHz; Gain Bandwidth ft Typ:170MHz; Hfe Min:2000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:800mA; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:80V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min2000
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency170 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité