Diodes Inc. BC847BVN-7
$ 0.169
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BC847BVN-7 | 2 010 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | BC847BVNDICT-ND | 4 033 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC847BVN-7 | 0 | 3K | 21h | ||||||||
| Future Electronics | BC847BVN-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BC847BVN-7 | 0 | 3K | 10h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.BC847BVC-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1910FE,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mW 5V 100nA 50V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. BC847BVN-7 fournies par ses distributeurs.
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
BC847B Series NPN 150 W 45 V 100 mA SMT Small Signal Transistor - SOT-563
600mV@ 5mA,100mA,650mV@ 5mA,100mA 1 NPN,1 PNP 150mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
45V 150mW 100mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-563 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT563; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 290hFE; Transistor Case Style: SOT-563; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600mV; Current Ic Continuous a Max: 100mA; Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz; Hfe Min: 200; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Small Signal; Transition Frequency ft: 300MHz
Transistor, Npn & Pnp, Dual, 45V, 100Ma, 150Mw, Sot-563; Transistor, Polaridad:Npn, Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:45V; Disipación De Potencia Pd:150Mw; Corriente De Colector Dc:100Ma; Ganancia De Corriente Dc Hfe:290 |Diodes Inc. BC847BVN-7
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité