Diodes Inc. APT13005T-G1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-09-15
LTD Date2022-03-15
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. APT13005T-G1 fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
TRANS NPN 450V 4A TO220AB / HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Trans GP BJT NPN 700V 4A 3-Pin TO-220AB Tube
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage900 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Fall Time900 ns
hFE Min8
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Transition Frequency4 MHz
Dimensions
Height16.1 mm
Length10.2 mm
Width4.5 mm