Diodes Inc. 2DB1713-13

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.172
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
2DB1713-1301
18h
Avnet2DB1713-1302500
2d
Arrow Electronics2DB1713-1302500
Farnell
2
2DB1713-1305Cut Tape
20h
Microchip USA2DB1713-131673500Tray
12h

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.2DB1697-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Détails
Diodes Inc.FCX717TA
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 12V 3A SOT89
Détails
Diodes Inc.2DA1797-13
2DA1797 Series SOT-89 50V 3A BJT PNP Surface Mount Bipolar Transistor
Détails
onsemi2SB1124T-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
Détails
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. 2DB1713-13 fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
12V 900mW 270@500mA,2V 3A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
Fly-Wing Technology
PNP 12 V 3 A 900 mW Surface Mount Transistor - SOT-89-3L
Future Electronics
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Verical
General Purpose Transistors PNP Ic=3A Vceo=12V hfe=270~680 P=900mW SOT89-3L
HQonline
TRANSISTOR, PNP, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor
Farnell

Images

element14 APAC
Farnell
element14
Future Electronics
HQonline

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated