Brilliance Semiconductor BH616UV8010TIG55
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.41
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 year ago)
LTB Date2008-12-31
LTD Date2009-03-31
Descriptions
Descriptions de Brilliance Semiconductor BH616UV8010TIG55 fournies par ses distributeurs.
SRAM 8M, 512KX16, 1.65-3.6V, 616; Memory Size: 8Mbit; Supply Voltage Range: 1.65V to 3.6V; Memory Case Style: TSOP-I; No. of Pins: 48Pins; Access Time: 55ns; Operating Temperature Min: -40°C; Operating Temperature Max: 85°C; MS
Alias du fabricant
Brilliance Semiconductor possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Brilliance Semiconductor peut également être connu sous les noms suivants :
- BSI
- BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC
- BRILLIANCE
- BSI (BRILLIANCE SEMICONDUCTOR)
- BRILLIANCE SEMICONDU
- Brilliance Semiconductor (BSI)
- Brilliance Semiconductor Inc (BSI)
- BSI/BRILLIANCE
- BSI (BRILLIANCE SEMICONDU
- Brilliance semiconductors
- BSI - brilliancesemi*
- BRILLANCE SEMICONDUCTOR INC
- Brilliance Semiconductor Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTSOP
Number of Pins48
Technical
Access Time55 ns
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Voltage3.6 V
Memory Size1 MB
Memory TypeSRAM
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage1.65 V
TerminationSMD/SMT
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