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ATI ACCURATE TECHNOLOGY

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Résultats : 2 147
60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology, BG-PB60AT-1-3, RoHS
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IGBT-MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
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Modèles CAO
Infineon
FP15R12YT3
$ 87,270
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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THYRISTOR/DIODE MODULE, 503A, 1.6KV; Available until stocks are exhausted
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Silicon Controlled Rectifier, 70A I(T)RMS, 70mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element
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Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 355000mW 7-Pin Tray
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Modèles CAO
MUBW Series 1200 Vce 50 A 100 ns t(on) Brake Chopper / 3 Phase Inverter
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