Infineon BFP193WH6327XTSA1
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Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon BFP193WH6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT343-3D
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:580mW; DC Collector Current:80mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 80 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 12 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 8 / Power Dissipation (Pd) mW = 580 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101
RF TRANSISTOR, NPN, SOT-343; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:12V; Continuous Collector Current Ic:80mA; ft, Typ:8GHz; Case Style:SOT-343; Power Dissipation Pd:580mW; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Associated Gain Ga:20.5dB; Noise:1dB; Test Frequency:900MHz; Transistors, No. of:1; ft, Min:6000MHz; Current Ic @ Gms:30mA; Current Ic Continuous a Max:0.05A; Current Ic Fc Measurement:10mA; Current Ic Max:0.05A; Current Ic av:80mA; Current Ic hFE:30mA; Gms:13dB; Min Hfe:50; Noise Level, Fc @ Ic:2.1dB; Power, Ptot:580mW; SMD Marking:RCs; Voltage, Vcbo:20V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
- INFINEON TECHNO
- Infineon Technologies Americas Corp
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency8 GHz
Gain20.5 dB
hFE Min50
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current80 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation580 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure1 dB
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation580 mW
Power Gain20.5 dB
TerminationSMD/SMT
Test Frequency900 MHz
Transition Frequency8 GHz
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité