Vishay SUM55P06-19L-E3
$ 1.384
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SUM55P06-19L-E3 | 5 | 1 | 19h | ||||||||
| TTI | SUM55P06-19L-E3. | 0 | 10 | Cut Tape | 8h | |||||||
| Newark | SUM55P06-19L-E3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SUM55P06-19L-E3 | 0 | 800 | 1d | ||||||||
| Future Electronics | SUM55P06-19L-E3 | 0 | 800 | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
Country of OriginIsrael, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPB057N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB081N06L3GATMA1
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Descripciones
Descripciones de Vishay SUM55P06-19L-E3 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, P-CH, 60V, 55A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-55A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-55A; Power Dissipation Pd:125W; Voltage Vgs Max:20V
Mosfet, P Channel, -60V, 0.015Ohm, -55A, To-263, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:55A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:125W Rohs Compliant: Yes |Vishay SUM55P06-19L-E3.
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time230 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max19 mΩ
Resistance19 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento