Vishay SQS420EN-T1_GE3
$ 0.494
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQS420EN-T1_GE3CT-ND | 7765 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQS420EN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Newark | SQS420EN-T1_GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SQS420EN-T1_GE3 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| TTI Europe | SQS420EN-T1/GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 2d |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -11.81%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-01
LTD Date2015-08-30
Componentes relacionados
VishaySI2312CDS-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMG6968U-7
Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descripciones
Descripciones de Vishay SQS420EN-T1_GE3 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet Transistor, N Channel, 8 A, 20 V, 0.0235 Ohm, 4.5 V, 600 Mv
18W(Tc) 8V 1.5V@ 250¦ÌA 14nC@ 4.5 V 1N 20V 28m¦¸@ 5A,4.5V 8A 490pF@10V 3.3mm*3.3mm*1.04mm
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 20V, 8A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0235ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation Pd:18W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation18 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max28 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage600 mV
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento