Vishay SQ4850EY-T1_GE3
$ 0.64
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQ4850EY-T1_GE3CT-ND | 19.960 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | SQ4850EY-T1_GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SQ4850EY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 3d | ||||||||
| Farnell | SQ4850EY-T1_GE3 | 790 | 5 | Cut Tape | 2h | |||||||
| element14 APAC | SQ4850EY-T1_GE3 | 790 | 5 | Cut Tape | 15h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.23%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SQ4850EY-T1_GE3.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-18
LTD Date2024-06-17
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMT6016LSS-13
DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMT6015LSS-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 9.2A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6015LSS-13
Diodes Inc.DMT6017LSS-13
1.5W(Ta) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 60V 18m¦¸@ 10A,10V 9.2A 864pF@30V SOIC-8
Descripciones
Descripciones de Vishay SQ4850EY-T1_GE3 suministradas por sus distribuidores.
SQ4850EY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 60 V, 8-PIN SOIC
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
SQ4850EY Series 30 V 12 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - SOIC-8
Mosfet,n Channel,w Diode,60V,12A,so8; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:12A; On Resistance Rds(On):0.017Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.23%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation6.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation6.8 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento