Vishay SI4850EY-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI4850EY-T1-GE3 | 3112 | 8 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI4850EY-T1-GE3 | 3112 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI4850EY-T1-GE3CT-ND | 1651 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4850EY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 9h | ||||||||
| TTI | SI4850EY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 2d |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-11-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descripciones
Descripciones de Vishay SI4850EY-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
SI4850EY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 8.5 A; 60 V; 8-Pin SOIC
N-CH MOSFET SO-8 60V 22MOHM @ 10V QG=27NC PWM OP - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
N Ch Mosfet; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:1.7W Rohs Compliant: No |Vishay SI4850EY-T1-GE3.
MOSFET,N CH,DIODE,60V,8.5A,8-SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:3.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8.5A; Power Dissipation Pd:3.3W; Voltage Vgs Max:20V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento