Vishay SQ4410EY-T1_GE3
$ 0.713
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SQ4410EY-T1_GE3 | 2620 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SQ4410EY-T1_GE3CT-ND | 870 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQ4410EY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Avnet | SQ4410EY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| TTI Europe | SQ4410EY-T1/GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 1h |
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Tendencia de 3 meses: -43.80%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.713
$ 0.34
Stock
126,693
750,246
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
2 V
1.2 V
Rds On Max
12 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
5 W
2.5 W
Input Capacitance
2.385 nF
2.525 nF
Descripciones
Descripciones de Vishay SQ4410EY-T1_GE3 suministradas por sus distribuidores.
SQ4410EY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15 A, 30 V, 8-PIN SOIC
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,N CH,W DIODE,30V,15A,SO8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 15A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.385 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento