Vishay SIR172ADP-T1-GE3
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NRND
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SIR172ADP-T1-GE3 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SIR172ADP-T1-GE3CT-ND | 11.383 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR172ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2h | ||||||||
| TTI | SIR172ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 7h | |||||||
| Avnet | SIR172ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | 4d |
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 SnapEDA | 3D | Descargar |
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VishaySIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
onsemiNTMS4705NR2G
Power MOSFET 30 V, 12 A, Single N-Channel SO-8 - for new designs use (NTMS4801N or NTMS4816N)
Descripciones
Descripciones de Vishay SIR172ADP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO / Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Single N-Channel 30 V 0.0089 O 12.8 nC Power Mosfet - PowerPAK SO-8
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.515 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.9 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento