onsemi NTMS4700NR2G
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Obsolete
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTMS4700NR2G | 5000 | 1140 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTMS4700NR2G | 5000 | 23h | |||||||||
| Win Source | WS-261345 | 9300 | 50 | 1d | ||||||||
| Worldway Electronics | NTMS4700NR2G | 29.117 | 7 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Fmall Co., Limited | NTMS4700NR2G | 17.500 | >1wk |
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Componentes alternativos
Este componente
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$ 0.604
Stock
179,894
272,792
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.6 A
8.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.2 mΩ
7.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
860 mW
1.56 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.6 nF
Componentes relacionados
InfineonBSO083N03MSGXUMA1
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de onsemi NTMS4700NR2G suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 14.5A N-Channel
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 8.6A Ta 8.6A 1.56W 5ns
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating14.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation860 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation860 mW
Rds On Max7.2 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time29.5 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
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