Vishay SIHG25N40D-GE3
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Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
VishaySIHG22N50D-GE3
VISHAY SIHG22N50D-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 22 A, 500 V, 0.185 ohm, 10 V, 3 V
Descripciones
Descripciones de Vishay SIHG25N40D-GE3 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, N-CH, 400V, 25A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N-CH, 400V, 25A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:278W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.707 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max170 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height20.82 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento