Vishay SIHB30N60E-GE3

MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
$ 3.525
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
DigiKeySIHB30N60E-GE3-ND4481Tube
TME
2
SIHB30N60E-GE301K
6h
TTISIHB30N60E-GE301KTube
10h
Future ElectronicsSIHB30N60E-GE3050Tube
AvnetSIHB30N60E-GE301K
3d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHB30N60E-GE3.

Upverter

Datasheet9 páginasHace 5 años
Technical Drawing1 páginasHace 21 años

Farnell

Newark

element14 APAC

Future Electronics

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+37.58%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SIHB30N60E-GE3 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

onsemiFCB36N60NTM
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600V, 25A, 125mΩ, D2PAK
Detalles
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Detalles
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Detalles
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Detalles
STMicroelectronicsSTB34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
Detalles
STMicroelectronicsSTB36NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Detalles

Descripciones

Descripciones de Vishay SIHB30N60E-GE3 suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Newark
E-Series N-Channel 600 V 0.125 Ohm 130 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Verical
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.104ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Farnell

Imágenes

Vishay
Farnell
Farnell
Future Electronics
RS
UTSource

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SIHB30N60EGE3