Vishay SIA427DJ-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIA427DJ-T1-GE3CT-ND | 12.522 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA427DJ-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Future Electronics | SIA427DJ-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SIA427DJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 9h | ||||||||
| TTI Asia | SIA427DJ-T1-GE3 | Contacto | 11h |
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Stock
256,134
389,629
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
-8 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
350 mV
-
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
5 V
5 V
Power Dissipation
3.5 W
3.5 W
Input Capacitance
2.3 nF
2.3 nF
Cadena de suministros
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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InfineonBF2030E6814
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Vishay SIA427DJ-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 8 V 0.013 Ohm 33 nC SMT Power Mosfet - PowerPAK® SC-70-6
Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R / MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Mosfet, P Channel, -8V, -12A, Powerpak Sc70-6, Full Reel; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:8V; Continuous Drain Current Id:12A; On Resistance Rds(On):0.037Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Product Range:-Rohs Compliant: No
MOSFET, P CH, -8V, -12A, POWERPAK SC70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):0.037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.2V; Power Dissipation Pd:19W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SC70; No. of Pins:6; MSL:-
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)5 V
Input Capacitance2.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance13 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage350 mV
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento