Vishay SI7370DP-T1-GE3
$ 1.32
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -34.47%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI7370DP-T1-GE3.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SI7370DP-T1-GE3 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 1.32
$ 1.78
Stock
303,187
429,054
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
9.6 A
9.6 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
1.9 W
Input Capacitance
-
-
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7370DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
1.9W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 57nC@ 10 V 1N 60V 11m¦¸@ 12A,10V 9.6A 4.9mm*5.89mm*1.04mm
Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
60V,15.8A,11Mohm RdsOn@10V,46nCQg,PPAK SO-8
MOSFET, N CH, 60V, 9.6A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9.6A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -34.47%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max11 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI7370DP-T1-GE3.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento