Vishay SI7216DN-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
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| Newark | SI7216DN-T1-GE3 | 3249 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI7216DN-T1-GE3 | 1 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SI7216DN-T1-GE3 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI7216DN-T1-GE3CT-ND | 3496 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI7216DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 22h |
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Stock
284,369
313,054
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
6.5 A
6.5 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
32 mΩ
32 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
670 pF
670 pF
Cadena de suministros
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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SI4286DY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7 A, 40 V, 8-PIN SOIC
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7216DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 40 V 0.039 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
2.5W 20V 3V@ 250¦ÌA 19nC@ 10V 2N 40V 32m¦¸@ 5A,10V 6A 670pF@20V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:6.5A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:40V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance670 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20.8 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max32 mΩ
Resistance39 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento