Vishay SI7115DN-T1-GE3
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
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$ 0.99
Stock
423,139
40,011
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-2 V
-
Rds On Max
295 mΩ
295 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.7 W
3.7 W
Input Capacitance
1.19 nF
1.19 nF
Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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5.9W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1P 150V 295m¦¸@ 4A,10V 2A 1.19nF@50V SOIC-8 1.55mm
VishaySI4455DY-T1-E3
Si4455DY Series 150 V 8.9 A 0.295 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7115DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 150 V 295 mOhm 42 nC 52 W SMT Mosfet - PowerPAK ChipFET
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
MOSFET, P CH, -150V, -8.9A, POWERPAK 121
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET SI7115DN POWPAK8 P 0.295R -150V
3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1P 150V 295m¦¸@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 3.05mm*3.05mm*1.07mm
P-CH 150V 8,9A 295mOhm PPAK1218
MOSFET, P CH, -150V, -8.9A, POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.9A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.245ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-50°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:-
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.19 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-50 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max295 mΩ
Resistance295 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento