Vishay SI3900DV-T1-E3
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Este componente
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Stock
1,038,674
527,710
Authorized Distributors
3
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2 A
2 A
Threshold Voltage
600 mV
-
Rds On Max
125 mΩ
125 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
830 mW
830 mW
Input Capacitance
-
-
Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de Vishay SI3900DV-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 20 V 0.125 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
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Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs600 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation830 mW
Rds On Max125 mΩ
Resistance125 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage600 mV
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento