Vishay SI2314EDS-T1-E3
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Este componente
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Stock
473,754
44,742
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.77 A
3.77 A
Threshold Voltage
950 mV
-
Rds On Max
33 mΩ
33 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
-
-
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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SQ2351ES Series P-Channel 20 V 0.115 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Descripciones
Descripciones de Vishay SI2314EDS-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 0.033 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | Siliconix / Vishay SI2314EDS-T1-E3
20V 3.77A 750mW 33m´Î@4.5V5A 950mV@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 3.77A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
MOSFET, N, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):33mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:950mV; Power Dissipation Pd:750mW; Transistor Case Style:TO-236; No. of Pins:3; Current Id Max:4.9A; Package / Case:TO-236; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:950mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.77 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.4 µs
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs950 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation750 mW
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 mΩ
Rise Time1.4 µs
Schedule B8541290080
Threshold Voltage950 mV
Turn-Off Delay Time13.5 µs
Turn-On Delay Time530 ns
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento