Vishay SI2307BDS-T1-E3
$ 0.282
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -17.22%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI2307BDS-T1-E3.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SI2307BDS-T1-E3 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.282
$ 0.304
Stock
1,174,412
150,793
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-3 V
-
Rds On Max
78 mΩ
78 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
380 pF
380 pF
Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
VishayTP0610K-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 Ohm, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Vishay SI2307BDS-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 0.078 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
MOSFET, POWER, P-CH, VDSS -30V, RDS(ON) 0.063OHM, ID -2.5A, TO-236 (SOT-23),PD 0.75W
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
30V 2.5A 750mW 78m´Î@10V3.2A 3V@250Ã×A P Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P Channel Mosfet, -30V, 2.5A To-236, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:2.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3Vrohs Compliant: No |Vishay SI2307BDS-T1-E3.
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -17.22%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance380 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation750 mW
Rds On Max78 mΩ
Resistance78 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI2307BDS-T1-E3.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento