Vishay SI1965DH-T1-E3
$ 0.243
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SI1965DH-T1-E3CT-ND | 265 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI1965DH-T1-E3 | 0 | 3K | 11h | ||||||||
| TTI | SI1965DH-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 16h | |||||||
| Avnet | SI1965DH-T1-E3 | 0 | 3K | 15h | ||||||||
| Future Electronics | SI1965DH-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -41.48%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI1965DH-T1-E3.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SI1965DH-T1-E3 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.243
$ 0.242
Stock
109,097
628,191
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
1.14 A
1.14 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
390 mΩ
390 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
740 mW
740 mW
Input Capacitance
120 pF
120 pF
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Vishay SI1965DH-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
Si1965DH Series Dual P-Channel 12 V 390 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOT-363
Trans MOSFET P-CH 12V 1.14A 6-Pin SC-70 T/R
DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
DUAL P-CHANNEL 12 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.14A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -41.48%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.14 A
Drain to Source Resistance390 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationDual
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance120 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation740 mW
Rds On Max390 mΩ
Resistance390 MΩ
Rise Time27 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI1965DH-T1-E3.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento