Vishay IRLR110PBF

Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
$ 0.529
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
DigiKeyIRLR110PBF-ND1481Tube
Arrow Electronics
3
IRLR110PBF12931
Verical
4
IRLR110PBF3627
TME
2
IRLR110PBF5911
12h
TTIIRLR110PBF03KTube
16h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay IRLR110PBF.

Newark

Datasheet13 páginasHace 4 años
Datasheet11 páginasHace 14 años
Datasheet11 páginasHace 9 años
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IHS

element14 APAC

TME

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
VishayIRLR110PBF
VishayIRLR110TRLPBF
Price @ 1000
$ 0.529
$ 0.336
Stock
261,636
32,069
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
4.3 A
4.3 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
540 mΩ
540 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
25 W
2.5 W
Input Capacitance
250 pF
250 pF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
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onsemiFQD5P10TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK
Detalles
onsemiFDD86113LZ
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V , 5.5 A, 104 mΩ
Detalles

Descripciones

Descripciones de Vishay IRLR110PBF suministradas por sus distribuidores.

Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
Fly-Wing Technology
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Future Electronics
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.3A, D-PAK; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:4.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V RoHS Compliant: No
Newark
MOSFET, N, 100V, 4.3A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:4.3A; Junction to Case Thermal Resistance A:5°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:540mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:17A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:10V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V
element14 APAC

Imágenes

Vishay
TME
Newark
Farnell
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Future Electronics
RS

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRLR110PBF.