Vishay IRL630PBF
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRF630NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.3Ohm;ID 9.3A;TO-220AB;PD 82W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Vishay IRL630PBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 200V, 9A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRL630PBF.
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -11.40%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation74 W
Rds On Max400 mΩ
Recovery Time350 ns
Resistance400 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento