Vishay IRF630PBF
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InfineonIRFB4019PBF
150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Vishay IRF630PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Single N-Channel 200 V 0.4 O 43 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB)
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: No
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation74 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento