Vishay IRFZ20PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRF9Z34NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -19A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Vishay IRFZ20PBF suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 50V 15A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB; Channel Type: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 50V; Continuous Drain Current Id: 15A; Transistor Mounting: Through Hole; Rds(on) Test Voltage: 10V; Gate Source Thre 19K8195
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +12.12%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation40 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 MΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento