Infineon IRFZ24NPBF
$ 0.258
NRND
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +21.17%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFZ24NPBF.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRFZ24NPBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLZ24NPBF
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFZ24NPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
Transistor MOSFET N Channel 55 Volt 17 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 AB
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Through Hole
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 55 V, 17 A, TO-220, IRFZ24NPBF
Transistor MOSFET N-Ch. 17A/55V TO220 IRFZ 24 NPBF
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature | Target Applications: Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:45W; No. Of Pins:3Pins; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFZ24NPBF.
MOSFET, N, 55V, 17A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3.3°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:45W; Power Dissipation Pd:45W; Pulse Current Idm:68A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +21.17%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating17 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance370 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance70 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation45 W
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFZ24NPBF.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento