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Vishay IRFU320PBF

Single N-Channel 400 V 1.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
$ 0.592
Production
Ficha técnica
Página del fabricante

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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Avnet
2
IRFU320PBF
2050
1
USD
0,396
0,377
0,370
0,370
0,370
7h
Newark
IRFU320PBF
3000
1
USD
1,790
1,220
1,070
0,916
0,916
Future Electronics
IRFU320PBF
3820
40
Tube
USD
0,540
0,520
0,485
Verical
IRFU320PBF
572
86
USD
0,819
0,729
0,626
TME
2
IRFU320PBF
572
1
USD
1,238
0,813
0,665
0,592
0,508
18h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay IRFU320PBF.

Newark

Datasheet13 páginasHace 4 años
Datasheet11 páginasHace 14 años
Datasheet8 páginasHace 16 años
Datasheet8 páginasHace 17 años
Datasheet11 páginasHace 11 años

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
VishayIRFU320PBF
VishaySIHFU320-GE3
Price @ 1000
$ 0.592
$ 0.419
Stock
2,750,254
800
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
-
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
1.8 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
350 pF
-

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Vishay IRFU320PBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 400 V 1.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Future Electronics
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 400V, RDS(ON) 1.8 OHMS, ID 3.1A, TO-251AA, PD 2.5W, VGS+/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:400V; Continuous Drain Current, Id:3.1A; On Resistance, Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, 400V, 3.1A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:3.1A; Fall Time tf:13ns; Junction to Case Thermal Resistance A:3°C/W; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:42W; Power Dissipation Pd:42W; Pulse Current Idm:12A; Rise Time:14ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:30ns; Turn On Time:10ns; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Imágenes

Vishay
DKO Electronshik
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Newark
iiiC
Future Electronics

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric