Vishay IRF720PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB / Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descripciones
Descripciones de Vishay IRF720PBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 400 V 1.8 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Through Hole
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 400V, 3.3A To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:3.3A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRF720PBF.
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Current33 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max1.8 Ω
Recovery Time600 ns
Resistance1.8 Ω
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage400 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento