onsemi FQP4P40
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB / Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descripciones
Descripciones de onsemi FQP4P40 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -400 V, -3.5 A, 3.1 Ω, TO-220
FAIRCHILD FQP4P40 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.5 A, 400 V, 3-PIN TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 400V, 3.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P-CH, -400V, -3.5A, TO-220-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.5A; Drain Source Voltage Vds: -400V; On Resistance Rds(on): 2.44ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs:
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating-3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-400 V
Drain to Source Resistance3.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance680 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation85 W
Rds On Max3.1 Ω
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-5 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)-400 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento