Texas Instruments CSD17381F4
$ 0.069
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.069
$ 0.387
Stock
2,233,836
1,608,177
Authorized Distributors
4
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
0402
QFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
-
850 mV
Rds On Max
109 mΩ
109 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
500 mW
-
Input Capacitance
195 pF
195 pF
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 21 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
Recursos de ingeniería
Ver Kits de evaluación y Diseños de referencia para Texas Instruments CSD17381F4.
Kit de evaluación
Descripciones
Descripciones de Texas Instruments CSD17381F4 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin Case 0402 T/R
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6 mm, 117 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Fixed Inductors 150uH 410mOhms +/-10%Tol 640mA
CSD17381F4 30V, N CHANNEL NEXFET
Alias de fabricantes
Texas Instruments tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Texas Instruments también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/Package0402
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance117 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance195 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Manufacturer Package Identifier3-PICOSTAR
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max109 mΩ
Rise Time1.4 ns
Turn-Off Delay Time10.8 ns
Turn-On Delay Time3.4 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
Fichas técnicas y documentos
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